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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IMW65R057M1HXKSA1 |
제품 요약 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 35A(Tc) 133W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3-41 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IMW65R057M1HXKSA1 모델 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 5.7V @ 5mA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 28 nC @ 18 V |
계열 | Vgs(최대) +20V, -2V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 930 pF @ 400 V |
부품 현황 기존 설계 전용 | 내전력(최대) 133W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 스루홀 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V | 공급 장치 패키지 PG-TO247-3-41 |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 74m옴 @ 16.7A, 18V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
재고: 3
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩17,749.00000 | ₩17,749 |
| 30 | ₩10,420.46667 | ₩312,614 |
| 120 | ₩8,809.99167 | ₩1,057,199 |
| 510 | ₩7,630.45490 | ₩3,891,532 |
| 1,020 | ₩7,200.29706 | ₩7,344,303 |
| 2,010 | ₩6,845.99900 | ₩13,760,458 |
