Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 11206 KRW
Availability: InStock

신제품

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IMT65R50M2HXUMA1
DigiKey 제품 번호	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IMT65R50M2HXUMA1
제품 요약	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
제조업체 표준 리드 타임	13주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 48.1A(Tc) 237W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IMT65R50M2HXUMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	CoolSiC™ G2
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	48.1A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	15V, 18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	62m옴 @ 18.2A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	5.6V @ 3.7mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	790 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	237W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-HSOF-8-2
패키지/케이스	8-PowerSFN

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