Name: IMT40R036M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND
Price: 10492 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IMT40R036M2HXTMA1
DigiKey 제품 번호	448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IMT40R036M2HXTMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IMT40R036M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IMT40R036M2HXTMA1
제품 요약	SIC-MOS
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 400 V 7.6A(Ta), 50A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IMT40R036M2HXTMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	CoolSiC™
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	400 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7.6A(Ta), 50A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	15V, 18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	45.7m옴 @ 11.1A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	5.6V @ 4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	26 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+23V, -7V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1170 pF @ 200 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3.8W(Ta), 167W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-HSOF-8-2
패키지/케이스	8-PowerSFN