
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | |
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DigiKey 제품 번호 | 448-F413MXTR12C1M2QH11BPSA1-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
제품 요약 | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
제조업체 표준 리드 타임 | 12주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 60A(Tj) 섀시 실장 |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | ||
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
구성 | 4 N채널(풀 브리지) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.5m옴 @ 50A, 18V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 5.15V @ 22mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 158nC @ 18V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 4800pF @ 800V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | - |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩193,962.00000 | ₩193,962 |
30 | ₩168,994.80000 | ₩5,069,844 |