신제품
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

DigiKey 제품 번호
448-F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
제품 요약
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
제조업체 표준 리드 타임
12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 95A(Tj) 섀시 실장
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
포장
트레이
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
4 N 채널
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
95A(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8.3m옴 @ 75A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
5.15V @ 33mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
237nC @ 18V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
7210pF @ 800V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
-
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18₩238,411.66667₩4,291,410
제조업체 표준 포장
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