Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 3356 KRW
Availability: InStock

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BSZ0901NSIATMA1
DigiKey 제품 번호	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSZ0901NSIATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 25A(Ta), 40A(Tc) 2.1W(Ta), 69W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8-FL
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSZ0901NSIATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.2V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 41 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2600 pF @ 15 V
부품 현황 최종 구매 가능일	FET 특징 쇼트키 다이오드(본체)
FET 유형 N채널	내전력(최대) 2.1W(Ta), 69W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 25A(Ta), 40A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.1m옴 @ 20A, 10V	기준 제품 번호 BSZ0901

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BSZ0501NSIATMA1	Infineon Technologies	1,445	448-BSZ0501NSIATMA1CT-ND	₩2.38000	제조업체 추천
CSD17575Q3	Texas Instruments	0	296-39994-1-ND	₩1.60000	유사
CSD17575Q3T	Texas Instruments	2,846	296-37961-1-ND	₩2.14000	유사
FDMC7660DC	onsemi	41	FDMC7660DCCT-ND	₩2.45000	유사

재고: 6,724

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구매 가능한 마지막 날짜: 2026. 9. 30.

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