Name: BSC265N10LSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC265N10LSFGATMA1TR-ND
Price: 2416 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

BSC265N10LSFGATMA1
DigiKey 제품 번호	BSC265N10LSFGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSC265N10LSFGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSC265N10LSFGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSC265N10LSFGATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 6.5A(Ta), 40A(Tc) 78W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSC265N10LSFGATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.4V @ 43µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 21 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1600 pF @ 50 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 78W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-1
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 6.5A(Ta), 40A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 BSC265
Rds On(최대) @ Id, Vgs 26.5m옴 @ 20A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
DMTH15H017LPSWQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH15H017LPSWQ-13CT-ND	₩4,235.00000	유사
FDMS3662	onsemi	9,547	FDMS3662CT-ND	₩6,314.00000	유사
FDMS3672	onsemi	3,128	FDMS3672CT-ND	₩6,130.00000	유사
STL40N10F7	STMicroelectronics	2,586	497-13968-1-ND	₩3,486.00000	유사

재고: 14,997

추가 입고 예정인 재고 확인

새로운 설계에는 권장되지 않습니다. 최소 구매 수량이 적용될 수 있습니다. 대체품 제품을 확인하세요.

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

컷 테이프(CT) & Digi-Reel®