BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies | 단일 FET, MOSFET

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유사

onsemi

재고 있음: 2,355

단가 : ₩2,734.00000

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BSB015N04NX3GXUMA1
DigiKey 제품 번호	BSB015N04NX3GXUMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSB015N04NX3GXUMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 36A(Ta), 180A(Tc) 2.8W(Ta), 89W(Tc) 표면 실장 MG-WDSON-2, CanPAK M™
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	36A(Ta), 180A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1.5m옴 @ 30A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	142 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	12000 pF @ 20 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.8W(Ta), 89W(Tc)
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지/케이스	3-WDSON