Name: FDMS4435BZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDMS4435BZ-ND
Price: 643.95067 KRW
Availability: InStock

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FDMS4435BZ
DigiKey 제품 번호	2156-FDMS4435BZ-ND
제조업체	Fairchild Semiconductor
제조업체 제품 번호	FDMS4435BZ
제품 요약	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 30 V 9A(Ta), 18A(Tc) 2.5W(Ta), 39W(Tc) 표면 실장 8-PQFN(5x6)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Fairchild Semiconductor
계열	PowerTrench®
포장	벌크
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	9A(Ta), 18A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	20m옴 @ 9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2050 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 39W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-PQFN(5x6)
패키지/케이스	8-PowerTDFN