SiC/IGBT용 UCC21750 단일 채널 분리형 게이트 구동기
능동 보호, 분리형 아날로그 감지 및 높은 CMTI를 제공하는 Texas Instruments 게이트 구동기
Texas Instruments의 UCC21750 갈바닉 분리형 단일 채널 게이트 구동기는 작동 전압이 최대 2,121VDC인 SiC MOSFET 및 IGBT용으로 설계되었으며, 고급 보호 기능, 동급 최고의 동적 성능 및 견고성을 갖추었습니다. UCC21750은 최대 ±10A의 피크 소스 및 싱크 전류를 제공합니다. 입력측과 출력측은 SiO2 정전 용량 분리 기술을 사용하여 분리되며, 최대 1.5kVRMS의 작동 전압, 분리 장벽 수명이 40년 이상인 12.8kVPK 서지 내성, 부품 간 낮은 스큐 및 150V/ns 이상의 공통 모드 잡음 내성(CMTI)을 제공합니다.
UCC21750은 고속 과전류 및 단락 감지, 션트 전류 감지 지원, 고장 보고, 능동 밀러 클램프, 입출력측 전원 공급 장치 UVLO와 같은 최신 보호 기능을 구현하여 SiC 및 IGBT 스위칭 동작 및 견고성을 최적화했습니다. 분리된 아날로그-PWM 센서를 사용하여 온도 및 전압을 간편하게 감지함으로써 구동기의 다용도성을 높이고 시스템 설계 작업, 크기 및 비용을 줄였습니다.
- 5.7kVRMS, 단일 채널
- 최대 2,121VPK의 SiC MOSFET 및 IGBT
- 출력 구동 전압(VDD-VEE): 33V(최대)
- 구동 강도(±10A) 및 분할 출력
- CMTI: 150V/ns(최소)
- 응답 시간 DESAT 보호: 200ns
- 내부 능동 밀러 클램프: 4A
- PWM 출력 기능의 분리형 아날로그 센서:
- NTC, PTC 또는 열 다이오드를 사용한 온도 감지
- 고전압 DC 링크 또는 위상 전압
- 고장 발생 시 소프트 턴오프(400mA)
- 과전류에 대한 경보 FLT 및 RST/EN의 재설정
- RST/EN에서 빠른 활성화/비활성화 응답
- 입력 핀에서 < 40ns의 잡음 과도 및 펄스 제거
- RDY의 전력 양호로 UVLO(12V VDD)
- 최대 5V의 돌출 과도 전압 내성을 갖춘 입출력
- 130ns(최대)의 전파 지연, 30ns(최대)의 펄스/부품 스큐
- 패키지: 연면거리와 공간거리 > 8mm인 SOIC-16 DW
- 작동 접합 온도 범위: -40°C ~ +150°C
- 산업 모터 구동기
- 서버, 통신 및 산업용 전원 공급 장치
- 무정전 전원 공급 장치(UPS)
- 태양광 인버터
UCC21750 Single-Channel Isolated Gate Driver
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Evaluation Board
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