EliteSiC 다이오드 및 FET
onsemi는 열악한 환경 조건에 대해 탁월한 견고성을 제공하는 특허 받은 종단 구조를 제공하여 고객을 위한 완전한 WBG 에코시스템을 촉진합니다. onsemi 시뮬레이션을 위한 내부 제조에서 물리적 장치 모델에 이르기까지 모든 EliteSiC 장치의 신뢰성을 보장합니다.
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onsemi는 다양한 전력 변환 응용 제품을 위한 MOSFET, 광대역 갭, IGBT 및 전력 모듈의 선도적인 기술로 완벽한 전력 포트폴리오를 제공합니다. 뛰어난 전력 제품과 함께 onsemi는 보호에서 스위칭까지 완벽한 솔루션을 제공하는 부가 가치 파트너입니다. onsemi는 엔지니어가 EV 충전, AC-DC 전원 및 배터리 스토리지 응용 제품을 혁신적으로 설계할 수 있도록 지원합니다.
onsemi는 열악한 환경 조건에 대해 탁월한 견고성을 제공하는 특허 받은 종단 구조를 제공하여 고객을 위한 완전한 WBG 에코시스템을 촉진합니다. onsemi 시뮬레이션을 위한 내부 제조에서 물리적 장치 모델에 이르기까지 모든 EliteSiC 장치의 신뢰성을 보장합니다.
MOSFET 업계의 선두주자인 onsemi는 전력 변환 응용 제품을 위한 완벽한 HV 포트폴리오를 제공합니다. 또한 수직 통합 공급망을 통해 SMPS 및 PFC 설계를 위한 맞춤화 옵션과 함께 신뢰성을 보장합니다.
| 부품 번호 | 제품 요약 | 세부 정보 보기 |
|---|---|---|
| FCB070N65S3 | N채널 44A(Tc) 312W(Tc) 표면 실장 D²PAK(TO-263AB) | 세부 정보 보기 |
| FCB099N65S3 | N채널 30A(Tc) 227W(Tc) 표면 실장 D²PAK-3(TO-263) | 세부 정보 보기 |
| FCB125N65S3 | N채널 24A(Tc) 181W(Tc) 표면 실장 TO-263(D²Pak) | 세부 정보 보기 |
| FCB199N65S3 | N채널 14A(Tc) 98W(Tc) 표면 실장 D²PAK(TO-263) | 세부 정보 보기 |
| FCB260N65S3 | N채널 12A(Tc) 90W(Tc) 표면 실장 D²PAK(TO-263) | 세부 정보 보기 |
| FCD260N65S3 | N채널 12A(Tc) 90W(Tc) 표면 실장 TO-252, (D-Pak) | 세부 정보 보기 |
| FCD360N65S3R0 | N채널 10A(Tc) 83W(Tc) 표면 실장 D-PAK(TO-252) | 세부 정보 보기 |
| FCD600N65S3R0 | N채널 6A(Tc) 54W(Tc) 표면 실장 D-PAK(TO-252) | 세부 정보 보기 |
동급 최고의 MV 기술을 갖춘 onsemi의 Trench8 장치는 우수 경쟁 업체에 비해 RDS(ON)*Qg FOM을 20% 낮춥니다. T6 기술을 기반으로 최적화된 스위칭 성능을 제공하며 T6의 Qg 및 Qoss에서 35~40% 감소합니다.
| 부품 번호 | 제품 요약 | 세부 정보 보기 |
|---|---|---|
| NTBLS1D1N08H | N채널 41A(Ta), 351A(Tc) 4.2W(Ta), 311W(Tc) 표면 실장 8-HPSOF | 세부 정보 보기 |
| NTLJS4D7N03HTAG | N채널 11.6A(Ta) 860mW(Ta) 표면 실장 6-PQFN(2x2) | 세부 정보 보기 |
| NTLJS4D9N03HTAG | N채널 9.5A(Ta) 860mW(Ta) 표면 실장 6-PQFN(2x2) | 세부 정보 보기 |
| NTMFD6H846NLT1G | MOSFET 어레이 2 N채널(이중) 80V 9.4A(Ta), 31A(Tc) 3.2W(Ta), 34W(Tc) 표면 실장 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-이중) | 세부 정보 보기 |
| NTMFD6H852NLT1G | MOSFET 어레이 2 N채널(이중) 80V 295mA 250mW(Ta) 표면 실장 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-이중) | 세부 정보 보기 |
| NTMFS4H01NFT1G | N채널 54A(Ta), 334A(Tc) 3.2W(Ta), 125W(Tc) 표면 실장 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 세부 정보 보기 |
| NTMFS4H01NFT3G | N채널 54A(Ta), 334A(Tc) 3.2W(Ta), 125W(Tc) 표면 실장 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 세부 정보 보기 |
onsemi는 광 커플러의 안전 기능 및 디지털 절연기의 성능을 결합한 특허 기술을 제공하는 광범위한 절연 포트폴리오를 제공합니다.
| 부품 번호 | 제품 요약 | 세부 정보 보기 |
|---|---|---|
| NCID9211 | I²C, SPI 디지털 절연기 5000Vrms 채널 50Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(폭 0.295", 7.50mm) | 세부 정보 보기 |
| NCID9211R2 | I²C, SPI 디지털 절연기 5000Vrms 채널 50Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(폭 0.295", 7.50mm) | 세부 정보 보기 |
| NCID9401 | I²C, SPI 디지털 절연기 5000Vrms 채널 10Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(폭 0.295", 7.50mm) | 세부 정보 보기 |
| NCID9411 | I²C, SPI 디지털 절연기 5000Vrms 채널 10Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(폭 0.295", 7.50mm) | 세부 정보 보기 |
onsemi의 게이트 구동기 포트폴리오에는 스위칭 응용 제품에 이상적인 GaN, IGBT, FET, MOSFET, H-Bridge MOSFET 및 SiC MOSFET 반전 및 비반전 구동기가 포함됩니다.
포괄적인 전체 포트폴리오와 선도적인 전력 모듈 및 EliteSiC 기술을 갖춘 onsemi는 고속 DC EV 충전 솔루션을 위한 부가가치 파트너입니다.
onsemi의 포괄적인 MOSFET 및 기타 제품 포트폴리오는 전원 공급 장치 응용 제품을 위한 다양한 옵션을 제공합니다. onsemi의 제품 및 솔루션은 활성 모드 효율성을 높이고 대기 모드 전력 소비를 줄이며 회선에서 부하까지 전력 체인의 모든 지점에서 역률 보정을 제공합니다.
그리드 현대화로 에너지 저장 시스템에 대한 수요가 증가함에 따라 onsemi의 고전압 MOSFET 및 EliteSiC 이산 소자 포트폴리오는 완벽하고 강력한 솔루션을 제공하는 데 도움이 됩니다.
플러그인 및 완전 전기 자동차는 차량 배터리 에너지를 보충하기 위해 전력망에 연결된 양방향 고속 충전 온보드 충전기(OBC) 시스템이 필요합니다. onsemi는 온보드 충전 시스템을 위한 강력한 고출력 밀도 이산 소자 및 모듈식 솔루션의 포괄적인 포트폴리오를 제공합니다.
onsemi는 고효율 DC/DC 변환 시스템의 설계를 용이하게 하는 낮은 스위칭 및 전도 손실을 가진 이산 소자 및 모듈식 구성 요소 솔루션을 제공합니다.
onsemi는 전기 자동차에서 긴 주행 거리, 높은 토크 및 가속을 구현하기 위해 비용 효율적이고 안정적인 고효율 트랙션 인버터 시스템을 설계하기 위한 이산 소자 및 모듈식 구성 요소 솔루션을 제공합니다.
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