1700V 실리콘 카바이드EliteSiC 다이오드
온도에 독립적인 스위칭 특성과 우수한 열 성능이 특징인 onsemi 다이오드
onsemi의 1700V EliteSiC 쇼트키 다이오드는 실리콘보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공하는 기술을 사용합니다. 역회복 전류가 없고 온도에 영향받지 않는 스위치 특성과 뛰어난 열 성능으로 SiC는 차세대 전력 반도체로 사용됩니다. 이 시스템은 높은 효율, 빠른 동작 주파수, 출력 밀도 개선, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감 등의 장점을 지니고 있습니다.
- 간단한 병렬 연결
- 높은 서지 전류 용량
- 최대 접합 온도: +175°C
- 역회복 없음/순방향 회복 없음
- 높은 스위칭 주파수
- 낮은 순방향 전압(VF)
- 정비례 온도 계수
- AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능
- 차량용 HEV-EV DC-DC 컨버터
- 차량용 HEV-EV 온보드 충전기
- 산업용 전력
- PFC
- 태양광
- UPS
- 용접
1700 V EliteSiC Diodes
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 0 - 즉시 | $26,104.00 | 세부 정보 보기 |
Other Wide Bandgap Solutions
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 즉시 | See Page for Pricing | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2358 - 즉시 5000 - 공장 재고 | $9,763.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - 즉시 | $9,063.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - 즉시 | $4,480.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 961 - 즉시 114000 - 공장 재고 | $8,513.00 | 세부 정보 보기 |









