Name: FCD360N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: FCD360N65S3R0OSTR-ND
Price: 5121 KRW
Availability: InStock

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FCD360N65S3R0
DigiKey 제품 번호	FCD360N65S3R0OSTR-ND - 테이프 및 릴(TR) FCD360N65S3R0OSCT-ND - 컷 테이프(CT) FCD360N65S3R0OSDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FCD360N65S3R0
제품 요약	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 10A(Tc) 83W(Tc) 표면 실장 TO-252(DPAK)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	FCD360N65S3R0 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 1mA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 18 nC @ 10 V
계열 SuperFET® III	Vgs(최대) ±30V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 730 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 83W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 TO-252(DPAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 10A(Tc)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FCD360
Rds On(최대) @ Id, Vgs 360m옴 @ 5A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
TK380P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	2,193	TK380P65YRQCT-ND	₩183.41000	직접
STD16N60M2	STMicroelectronics	3,413	497-15461-1-ND	₩128.03000	유사
TK12P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	1,698	TK12P60WRVQCT-ND	₩226.29000	유사
TSM60NE285CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,975	1801-TSM60NE285CPROGCT-ND	₩237.01000	유사
XP65SL380DH	YAGEO XSEMI	996	5048-XP65SL380DHCT-ND	₩142.32000	유사