고전력 eGaN® FET

전력 변환 성능 표준에 대한 기대치를 계속적으로 높이는 EPC의 eGaN 전력 트랜지스터

EPC의 Gen 4 eGaN® FET 이미지 EPC의 고전력 eGaN FET 제품군은 98% 이상의 효율을 갖는 전력 컨버터를 가능하게 하는 낮은 온스테이트 저항, 낮은 정전 용량, 높은 전류, 뛰어난 열 성능을 제공합니다. 이 eGaN FET 제품군은 저항(RDS(ON))을 반으로 줄여 고전류, 고출력 밀도 응용 제품을 제공할 수 있습니다. 또한 최신 eGaN FET는 고주파 전력 변환 응용 제품에서 스위칭 성능을 향상시키기 위해 이전 세대와 비교하여 하드 스위칭 성능 지수(FOM)를 반으로 줄입니다. GaN의 성능 이점을 30V까지 확장하면 고전력 DC-DC 컨버터, 부하점(POL) 컨버터 및, 분리형 전원 공급 장치, PC, 서버를 위한 동기식 정류기를 실현할 수 있습니다.

특징

  • 더 낮은 온스테이트 저항(RDS(ON))
  • 향상된 성능 지수(FOM)
  • 30V ~ 200V

eGaN FET

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업데이트: 2019-04-30
게시 날짜: 2014-08-25