단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	251 재고 있음	1 : ₩12,352.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	6.2A(Tc)	20V	1옴 @ 2A, 20V	4V @ 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0160 SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc.	2,221 재고 있음 1,350 공장	1 : ₩17,546.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	22A(Tc)	20V	200m옴 @ 10A, 20V	4V @ 5mA	57 nC @ 20 V	+22V, -6V	870 pF @ 800 V	-	125W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	369 재고 있음	1 : ₩28,917.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	39A(Tc)	20V	100m옴 @ 20A, 20V	4V @ 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W(Tc)	-55°C ~ 150°C	-	-	스루홀	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO170T0750 SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L Littelfuse Inc.	873 재고 있음	1 : ₩14,555.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	6.4A(Tc)	20V	1옴 @ 2A, 20V	4V @ 1mA	11 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	65W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-263-7L	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
LSIC1MO120G0040 MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 재고 있음 리드 타임 확인	1 : ₩40,852.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	70A(Tc)	20V	50m옴 @ 40A, 20V	4V @ 20mA	175 nC @ 20 V	+22V, -6V	317 pF @ 800 V	-	357W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO170E1000 SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Littelfuse Inc.	0 재고 있음	450 : ₩5,279.54889 튜브	-	튜브	단종	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	5A(Tc)	15V, 20V	1옴 @ 2A, 20V	4V @ 1mA	15 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	54W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0120 SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc.	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	27A(Tc)	20V	150m옴 @ 14A, 20V	4V @ 7mA	80 nC @ 20 V	+22V, -6V	1125 pF @ 800 V	-	139W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120G0120 MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	27A(Tc)	20V	150m옴 @ 14A, 20V	4V @ 7mA	63 nC @ 20 V	+22V, -6V	1130 pF @ 800 V	-	156W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0025 MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	100A(Tc)	20V	32m옴 @ 50A, 20V	4V @ 30mA	265 nC @ 20 V	+22V, -6V	495 pF @ 800 V	-	500W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0080 MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	39A(Tc)	20V	100m옴 @ 20A, 20V	4V @ 10mA	92 nC @ 20 V	+22V, -6V	170 pF @ 800 V	-	214W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0160 MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	22A(Tc)	20V	200m옴 @ 10A, 20V	4V @ 5mA	50 nC @ 20 V	+22V, -6V	890 pF @ 800 V	-	125W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120T0120-TU 1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	27A(Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	표면 실장	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
LSIC1MO120T0160-TU 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	22A(Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	표면 실장	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
LSIC1MO120T0080-TU 1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7 IXYS	0 재고 있음	활성	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	39A(Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	표면 실장	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA

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단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.

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