Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 7491 KRW
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPT029N08N5ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 52A(Ta), 169A(Tc) 168W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPT029N08N5ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.8V @ 108µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 87 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™ 5	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6500 pF @ 40 V
부품 현황 최종 구매 가능일	내전력(최대) 168W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	공급 장치 패키지 PG-HSOF-8-1
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 52A(Ta), 169A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerSFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 IPT029
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.9m옴 @ 150A, 10V