Name: BSC012N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC012N06NSATMA1TR-ND
Price: 8225 KRW
Availability: OutOfStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

BSC012N06NSATMA1
DigiKey 제품 번호	BSC012N06NSATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSC012N06NSATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSC012N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSC012N06NSATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 36A(Ta), 306A(Tc) 214W(Tc) 표면 실장 PG-TSON-8-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSC012N06NSATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.3V @ 147µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 143 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 11000 pF @ 30 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 214W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 PG-TSON-8-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 36A(Ta), 306A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 BSC012
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.2m옴 @ 50A, 10V