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  1. 제품 색인
  2. 이산 반도체 제품
  3. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

검색 결과 : 41,010
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorHarris Corporation
지우기
계열
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
지우기
포장
-Digi-Reel®박스백벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브트레이
지우기
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종예비최종 구매 가능일활성
지우기
FET 유형
-N채널P채널
지우기
기술
-GaNFET(질화 갈륨)GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)MOSFET(금속 산화물)SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)SiCFET(실리콘 카바이드)SiCFET(캐스코드 SiCJFET)
지우기
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
지우기
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)14mA21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)45mA(Ta)
지우기
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V1.5V
지우기
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.4m옴 @ 150A, 10V0.4m옴 @ 30A, 10V0.4m옴 @ 50A, 10V0.42m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 30A, 10V0.45m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 60A, 4.5V0.47m옴 @ 20A, 10V0.48m옴 @ 50A, 10V0.52m옴 @ 20A, 10V0.52m옴 @ 30A, 10V0.53m옴 @ 20A, 10V0.55m옴 @ 25A, 10V
지우기
Vgs(th)(최대) @ Id
400mV @ 1mA(최소)400mV @ 250µA400mV @ 250µA(최소)450mV @ 100µA(최소)450mV @ 1mA(최소)450mV @ 250µA450mV @ 250µA(최소)450mV @ 2mA(최소)500mV @ 250µA500mV @ 250µA(최소)570mV @ 1mA600mV @ 1.2mA(최소)600mV @ 1mA
지우기
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
지우기
Vgs(최대)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
지우기
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V
지우기
FET 특징
-공핍 모드쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)온도 감지 다이오드전류 감지초접합표준
지우기
내전력(최대)
1.9mW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta), 3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)160mW170mW(Ta)
지우기
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C
지우기
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
지우기
공급 장치 패키지
2-HWSON(5x4)2-PQFN(8x8)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-LDPAK3-LGA(0.73x0.64)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
지우기
패키지/케이스
2-PowerTSFN3-DFN 노출형 패드3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, 플랫 리드(Lead)3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, 무연3-SMD, 비표준3-SMD, 평면 리드(Lead)3-SMD, 플랫 리드(Lead)3-UDFN
지우기
재고 옵션
미디어
환경 옵션
MARKETPLACE 제품
페이지당 검색 결과
25
Page 1/1641
비교
제조업체 부품 번호
가격
재고
제조업체
제조업체
최소 수량
DK 부품 번호
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
₩1,157.00000
305,471 - 즉시
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V1.7A(Ta)5V65m옴 @ 1A, 5V2.5V @ 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
₩1,597.00000
71,548 - 즉시
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)15 V3.4A(Ta)5V30m옴 @ 1.5A, 5V2.5V @ 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
₩1,597.00000
281,312 - 즉시
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V500mA(Ta)5V3.3옴 @ 50mA, 5V2.5V @ 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
₩2,451.00000
102,033 - 즉시
EPCEPC
1
917-1202-2-ND
917-1202-1-ND
917-1202-6-ND
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V8.2A(Ta)5V13.5m옴 @ 11A, 5V2.5V @ 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
₩2,809.00000
27,890 - 즉시
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V4A(Ta)5V160m옴 @ 500mA, 5V2.5V @ 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
₩2,947.00000
59,641 - 즉시
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V6A(Ta)5V30m옴 @ 6A, 5V2.5V @ 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이 아웃라인(5-솔더 바)다이
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
₩3,443.00000
37,997 - 즉시
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V29A(Ta)5V6m옴 @ 16A, 5V2.5V @ 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
₩3,443.00000
42,297 - 즉시
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V16A(Ta)5V7m옴 @ 16A, 5V2.5V @ 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
₩3,663.00000
17,514 - 즉시
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)40 V29A(Ta)5V3.6m옴 @ 15A, 5V2.5V @ 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 V표준--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
₩3,801.00000
20,175 - 즉시
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V5A(Ta)5V100m옴 @ 3A, 5V2.5V @ 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이 아웃라인(4-솔더 바)다이
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
₩4,117.00000
193,719 - 즉시
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V18A(Ta)5V13.5m옴 @ 11A, 5V2.5V @ 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
₩4,090.00000
24,447 - 즉시
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)65 V2A(Ta)5V530m옴 @ 500mA, 5V2.5V @ 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
₩4,420.00000
13,174 - 즉시
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V14A(Ta)5V22m옴 @ 14A, 5V2.5V @ 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
₩6,224.00000
41,438 - 즉시
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V60A(Ta)5V3.2m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
₩6,458.00000
102,722 - 즉시
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V36A(Ta)5V7m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이 아웃라인(11-솔더 바)다이
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
₩6,224.00000
30,727 - 즉시
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V48A(Ta)5V3.8m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
₩6,665.00000
22,176 - 즉시
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)40 V53A(Ta)5V4m옴 @ 33A, 5V2.5V @ 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
₩8,427.00000
20,148 - 즉시
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V32A(Ta)5V8m옴 @ 20A, 5V2.5V @ 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
₩9,033.00000
11,595 - 즉시
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V22A(Ta)5V25m옴 @ 12A, 5V2.5V @ 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이 아웃라인(7-솔더 바)다이
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
₩8,827.00000
109,870 - 즉시
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V90A(Ta)5V2.2m옴 @ 29A, 5V2.5V @ 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
₩7,987.00000
800 - 즉시
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널SiCFET(실리콘 카바이드)1700 V4A(Tc)18V1.5옴 @ 1.1A, 18V4V @ 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W(Tc)175°C(TJ)표면 실장TO-268TO-268-3, D³Pak(2 리드(lead)+탭), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
₩9,088.00000
18,899 - 즉시
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)60 V31A(Ta)-2.6m옴 @ 30A, 5V2.5V @ 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
₩9,226.00000
15,574 - 즉시
EPCEPC
1
917-1107-2-ND
917-1107-1-ND
917-1107-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V48A(Ta)5V3.2m옴 @ 30A, 5V2.5V @ 12mA13 nC @ 5 V+6V, -4V1410 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2032
GANFET N-CH 100V 48A DIE
₩9,405.00000
20,252 - 즉시
EPCEPC
1
917-1126-2-ND
917-1126-1-ND
917-1126-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V48A(Ta)5V4m옴 @ 30A, 5V2.5V @ 11mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1530 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2021
GANFET N-CH 80V 90A DIE
₩10,892.00000
12,545 - 즉시
EPCEPC
1
917-1089-2-ND
917-1089-1-ND
917-1089-6-ND
eGaN®
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V90A(Ta)5V2.5m옴 @ 29A, 5V2.5V @ 14mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1650 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
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