단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 40,756
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGeneSiC Semiconductor
계열
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™
포장
Digi-Reel®박스벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)MOSFET(금속 산화물)SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)SiCFET(실리콘 카바이드)SiCFET(캐스코드 SiCJFET)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.29m옴 @ 50A, 10V0.3m옴 @ 200A, 10V0.35m옴 @ 50A, 10V0.4m옴 @ 150A, 10V0.4m옴 @ 30A, 10V0.4m옴 @ 50A, 10V0.42m옴 @ 50A, 10V0.44m옴 @ 88A, 10V0.45m옴 @ 30A, 10V0.45m옴 @ 30A, 7V0.45m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 60A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
400mV @ 1mA(최소)400mV @ 250µA(최소)450mV @ 100µA(최소)450mV @ 1mA(최소)450mV @ 250µA(최소)450mV @ 2mA(최소)500mV @ 250µA(최소)570mV @ 1mA(통상)600mV @ 1.2mA(최소)600mV @ 1mA(최소)600mV @ 1mA(통상)600mV @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs(최대)
-20V-12V-10V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET 특징
-공핍 모드쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)온도 감지 다이오드전류 감지표준
내전력(최대)
400µW400µW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta), 3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-군사용자동차
인증
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
2-HWSON(5x4)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-DFN(1x0.6)3-FCLGA(3.2x2.2)3-LGA(0.73x0.64)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
패키지/케이스
2-DFN 노출형 패드3-DFN 노출형 패드3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, 플랫 리드(Lead)3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 변형3-SMD, 무연3-SMD, 비표준
재고 옵션
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제조업체 부품 번호
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포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
49,395
재고 있음
1 : ₩250.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩44.29300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V190mA(Ta), 300mA(Tc)5V, 10V4.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW(Ta), 1.33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
475,605
재고 있음
1 : ₩277.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩46.97300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V115mA(Ta)5V, 10V7.5옴 @ 50mA, 5V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
39,224
재고 있음
1 : ₩277.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩48.71067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)50 V220mA(Tj)4.5V, 10V3.5옴 @ 220mA, 10V1.5V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
42,608
재고 있음
1 : ₩291.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩48.89100
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)50 V200mA(Ta)10V3.5옴 @ 220mA, 10V1.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
180,418
재고 있음
1 : ₩305.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩50.43900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V320mA(Ta)4.5V, 10V1.6옴 @ 500mA, 10V2.3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3(TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1,728
재고 있음
1 : ₩305.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩50.43900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V380mA(Ta)5V, 10V2옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,491,851
재고 있음
1 : ₩319.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩52.60633
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)20 V200mA(Ta)1.2V, 2.5V1.2옴 @ 100mA, 2.5V1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--표면 실장EMT3F(SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
747,990
재고 있음
1 : ₩319.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩52.91600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성P채널MOSFET(금속 산화물)50 V180mA(Ta)10V7.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW(Ta), 1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)자동차AEC-Q101표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
522,394
재고 있음
1 : ₩319.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩54.76900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V260mA(Ta)4.5V, 10V2.5옴 @ 240mA, 10V2.5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3(TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,286,097
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩43.79800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용N채널MOSFET(금속 산화물)60 V360mA(Ta)10V1.6옴 @ 500mA, 10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)자동차AEC-Q101표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,162,007
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩56.90367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용N채널MOSFET(금속 산화물)60 V360mA(Ta)10V1.6옴 @ 500mA, 10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)자동차AEC-Q100표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
582,920
재고 있음
6,000
공장
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩55.38800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)30 V350mA(Ta)2.5V, 10V2.8옴 @ 250mA, 10V1.5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
375,323
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩56.93600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성P채널MOSFET(금속 산화물)50 V130mA(Ta)5V10옴 @ 100mA, 5V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172,458
재고 있음
2,350,000
공장
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩42.60720
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)30 V380mA(Ta)2.5V, 10V2.8옴 @ 250mA, 10V1.5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-323SC-70, SOT-323
101,727
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩42.84560
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V400mA(Ta)4.5V, 10V1.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장CST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57,807
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩55.38800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V260mA(Ta)4.5V, 10V2.5옴 @ 240mA, 10V2.6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3(TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
2,659
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩55.69767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)50 V200mA(Ta)1.2V, 4.5V-1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW(Ta)150°C(TJ)자동차AEC-Q101표면 실장SST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
887,610
재고 있음
1 : ₩347.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.14233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V360mA(Ta)10V1.6옴 @ 300mA, 10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta), 1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)자동차AEC-Q101표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
870,167
재고 있음
1 : ₩347.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.79367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)50 V200mA(Ta)0.9V, 4.5V2.2옴 @ 200mA, 4.5V800mV @ 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--표면 실장UMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
919,934
재고 있음
1 : ₩374.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩62.78633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V350mA(Ta)10V1.6옴 @ 500mA, 10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW(Ta)150°C(TJ)자동차AEC-Q101표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
407,719
재고 있음
1 : ₩374.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩62.50933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V115mA(Tc)5V, 10V7.5옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3(TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
281,363
재고 있음
1 : ₩374.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩61.89000
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)100 V170mA(Ta)10V6옴 @ 170mA, 10V2V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1,038,064
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1 : ₩388.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩65.91033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V320mA(Ta)10V1.6옴 @ 300mA, 10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW(Ta), 830mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)자동차AEC-Q101표면 실장SOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
891,471
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1 : ₩388.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩65.91033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V300mA(Ta)4.5V, 10V2옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장SOT-23-3(TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
743,975
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1 : ₩388.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩65.87800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널MOSFET(금속 산화물)60 V300mA(Tc)10V5옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--표면 실장TO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.