단일 FET, MOSFET

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제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBartels Mikrotechnik GmbHCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild Semiconductor
계열
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
포장
-Digi-Reel®박스백벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브트레이
Product Status
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종예비최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)MOSFET(금속 산화물)SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)SiCFET(실리콘 카바이드)SiCFET(캐스코드 SiCJFET)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)14mA21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.4m옴 @ 150A, 10V0.4m옴 @ 30A, 10V0.4m옴 @ 50A, 10V0.42m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 30A, 10V0.45m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 60A, 4.5V0.47m옴 @ 20A, 10V0.48m옴 @ 50A, 10V0.52m옴 @ 20A, 10V0.52m옴 @ 30A, 10V0.52m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
400mV @ 1mA(최소)400mV @ 250µA(최소)450mV @ 100µA(최소)450mV @ 1mA(최소)450mV @ 250µA(최소)450mV @ 2mA(최소)500mV @ 250µA(최소)570mV @ 1mA(통상)0.6V @ 11µA600mV @ 1.2mA(최소)600mV @ 1mA(최소)600mV @ 1mA(통상)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1.293 pF @ 30 V1.678 pF @ 15 V1.925 pF @ 30 V2.242 pF @ 15 V2.28 pF @ 25 V2.36 pF @ 10 V2.76 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
FET 특징
-공핍 모드쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)온도 감지 다이오드전류 감지초접합표준
내전력(최대)
1.9mW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta), 3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)160mW
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
2-HWSON(5x4)2-PQFN(8x8)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-DFN(1x0.6)3-LDPAK3-LGA(0.73x0.64)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-MPAK
패키지/케이스
2-PowerTSFN3-DFN 노출형 패드3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, 플랫 리드(Lead)3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 변형3-SMD, 무연3-SMD, 비표준3-SMD, 평면 리드(Lead)
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
Product Status
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
62,752
재고 있음
1 : ₩1,663.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩706.42080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)15 V3.4A(Ta)5V30m옴 @ 1.5A, 5V2.5V @ 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
966,978
재고 있음
1 : ₩1,921.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩816.79920
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V1.7A(Ta)5V550m옴 @ 100mA, 5V2.5V @ 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
281,695
재고 있음
1 : ₩1,921.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩816.79920
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V1.7A(Ta)5V65m옴 @ 1A, 5V2.5V @ 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
268,362
재고 있음
1 : ₩1,921.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩816.79920
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V500mA(Ta)5V3.3옴 @ 50mA, 5V2.5V @ 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
86,032
재고 있음
1 : ₩2,337.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩993.40440
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V6.8A(Ta)5V25m옴 @ 6A, 5V2.5V @ 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
294,091
재고 있음
1 : ₩2,365.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,096.61520
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V8.2A(Ta)5V13.5m옴 @ 11A, 5V2.5V @ 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
28,926
재고 있음
1 : ₩2,652.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,403.38640
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V3A(Ta)5V43m옴 @ 1A, 5V2.5V @ 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
25,111
재고 있음
1 : ₩3,211.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,483.65600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V4A(Ta)5V160m옴 @ 500mA, 5V2.5V @ 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
30,977
재고 있음
1 : ₩3,211.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,483.65600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V6A(Ta)5V30m옴 @ 6A, 5V2.5V @ 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
15,777
재고 있음
1 : ₩3,813.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,763.18520
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)40 V29A(Ta)5V3.6m옴 @ 15A, 5V2.5V @ 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 V표준--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
24,493
재고 있음
1 : ₩3,770.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,741.68320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V16A(Ta)5V7m옴 @ 16A, 5V2.5V @ 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
44,117
재고 있음
1 : ₩3,770.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,741.68320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V29A(Ta)5V6m옴 @ 16A, 5V2.5V @ 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
32,391
재고 있음
1 : ₩4,143.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,913.70120
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V5A(Ta)5V100m옴 @ 3A, 5V2.5V @ 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
25,216
재고 있음
1 : ₩4,372.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,021.21240
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V18A(Ta)5V17m옴 @ 11A, 5V2.5V @ 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
174,436
재고 있음
1 : ₩4,472.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,064.21680
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V18A(Ta)5V13.5m옴 @ 11A, 5V2.5V @ 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
47,032
재고 있음
1 : ₩4,673.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,408.25320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)65 V2A(Ta)5V530m옴 @ 500mA, 5V2.5V @ 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
9,503
재고 있음
1 : ₩5,017.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩2,649.07800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)80 V60A(Ta)5V3.6m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 V표준--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
113,558
재고 있음
1 : ₩5,519.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩2,913.98600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V8.5A(Ta)5V42m옴 @ 7A, 5V2.5V @ 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
16,137
재고 있음
1 : ₩6,809.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩3,504.86840
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V48A(Ta)5V3.8m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
20,526
재고 있음
1 : ₩6,938.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩3,569.37520
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)40 V53A(Ta)5V4m옴 @ 33A, 5V2.5V @ 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
74,988
재고 있음
1 : ₩6,809.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩3,598.33200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V60A(Ta)5V3.2m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
138,089
재고 있음
1 : ₩7,067.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩3,633.88200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)100 V36A(Ta)5V7m옴 @ 25A, 5V2.5V @ 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
33,202
재고 있음
1 : ₩9,232.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩4,751.99960
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V32A(Ta)5V8m옴 @ 20A, 5V2.5V @ 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
12,086
재고 있음
1 : ₩9,862.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩5,074.53320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)200 V22A(Ta)5V25m옴 @ 12A, 5V2.5V @ 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
13,557
재고 있음
1 : ₩9,375.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩5,375.56500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성N채널GaNFET(질화 갈륨)40 V90A(Ta)5V1.1m옴 @ 50A, 5V2.5V @ 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
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단일 FET, MOSFET

이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.