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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
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포장
제품 현황
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
83,695
재고 있음
1 : ₩2,386.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,094.68200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성GaNFET(질화 갈륨)2 N 채널(하프브리지)-100V1.7A70m옴 @ 2A, 5V2.5V @ 600µA0,73nC(5V)75pF @ 50V--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
67
재고 있음
1 : ₩1,175,687.00000
트레이
-
트레이
활성실리콘 카바이드(SiC)2 N 채널(하프브리지)-1200V(1.2kV)300A(Tc)-4V @ 68mA-35000pF @ 10V1875W-40°C ~ 150°C(TJ)섀시 실장모듈모듈
674,751
재고 있음
1 : ₩345.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩59.94700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)-60V300mA1.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.6nC(4.5V)40pF @ 10V285mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
Diodes Incorporated
226,151
재고 있음
1 : ₩469.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩86.87967
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)-60V230mA7.5옴 @ 50mA, 5V2V @ 250µA-50pF @ 25V310mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
onsemi
62,544
재고 있음
1 : ₩510.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩90.44200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V295mA1.6옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA0.9nC(4.5V)26pF @ 20V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
SSM6L56FE,LM
SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
Toshiba Semiconductor and Storage
46,644
재고 있음
1 : ₩524.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩96.53625
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트, 1.5V 구동20V800mA(Ta)235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V1V @ 1mA1nC(10V)55pF @ 10V, 100pF @ 10V150mW(Ta)150°C표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
371,292
재고 있음
1 : ₩524.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩98.57833
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트, 1.5V 구동20V250mA(Ta)2.2옴 @ 100mA, 4.5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Micro Commercial Co
1,244,006
재고 있음
1 : ₩552.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩101.35933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)-60V115mA7.5옴 @ 50mA, 5V2V @ 250µA-50pF @ 25V200mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
258,850
재고 있음
1 : ₩552.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩101.49733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V1.03A, 700mA480m옴 @ 200mA, 5V900mV @ 250µA0.5nC(4.5V)37.1pF @ 10V450mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1,268,546
재고 있음
1,518,000
Factory
1 : ₩552.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩102.87633
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V1.34A, 1.14A400m옴 @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC(4.5V)60.67pF @ 16V1.12W-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-23-6SOT-26
203,518
재고 있음
1 : ₩593.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩110.04750
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트30V100mA4옴 @ 10mA, 4V1.5V @ 100µA-8.5pF @ 3V150mW150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
394,914
재고 있음
이 제품은 최대 구매 수량에 제한이 있습니다.
1 : ₩593.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.26567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V320mA1.6옴 @ 300mA, 10V1.5V @ 250µA0.8nC(4.5V)50pF @ 10V420mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
444,827
재고 있음
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1 : ₩607.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩113.09033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V300mA1.6옴 @ 500mA, 10V2.1V @ 250µA0.6nC(4.5V)50pF @ 10V295mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
356,764
재고 있음
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1 : ₩538.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩113.23300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트, 0.9V 구동50V200mA2.2옴 @ 200mA, 4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
75,482
재고 있음
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1 : ₩621.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.68100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 P 채널(이중)논리 레벨 게이트50V160mA7.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.35nC(5V)36pF @ 25V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Diodes Incorporated
193,567
재고 있음
1 : ₩524.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩115.67400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트, 4.5V 구동30V3.4A, 2.8A60m옴 @ 3.1A, 10V2.3V @ 250µA13nC(10V)400pF @ 15V840mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
113,400
재고 있음
1 : ₩621.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩115.83933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V1.07A, 845mA450m옴 @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC(4.5V)60.67pF @ 10V330mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
60,370
재고 있음
1 : ₩621.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩115.83925
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V500mA, 330mA630m옴 @ 200mA, 5V1V @ 1mA1.23nC(4V)46pF @ 10V150mW150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
SOT666
NX3020NAKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
Nexperia USA Inc.
176,000
재고 있음
이 제품은 최대 구매 수량에 제한이 있습니다.
1 : ₩552.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩121.97950
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트30V200mA4.5옴 @ 100mA, 10V1.5V @ 250µA0.44nC(4.5V)13pF @ 10V375mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-666
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
502,356
재고 있음
이 제품은 최대 구매 수량에 제한이 있습니다.
1 : ₩662.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.07933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V320mA1.6옴 @ 320mA, 10V1.6V @ 250µA0.7nC(4.5V)56pF @ 10V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
955,743
재고 있음
이 제품은 최대 구매 수량에 제한이 있습니다.
1 : ₩690.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩127.42333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트30V350mA1.4옴 @ 350mA, 4.5V1.1V @ 250µA0.68nC(4.5V)50pF @ 15V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
282,013
재고 있음
이 제품은 최대 구매 수량에 제한이 있습니다.
1 : ₩690.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩127.42333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 P 채널(이중)논리 레벨 게이트30V200mA4.1옴 @ 200mA, 4.5V1.1V @ 250µA0.75nC(4.5V)46pF @ 15V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4,532
재고 있음
1 : ₩690.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩127.42333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V300mA3옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA0.6nC(10V)20pF @ 25V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
71,559
재고 있음
1 : ₩579.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩129.34700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V540mA, 430mA550m옴 @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA2.5nC(4.5V)150pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
39,904
재고 있음
1 : ₩593.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩130.31925
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트, 1.5V 구동20V800mA(Ta), 720mA(Ta)240m옴 @ 500mA, 4.5V, 300m옴 @ 400mA, 4.5V1V @ 1mA2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V90pF @ 10V, 110pF @ 10V150mW(Ta)150°C표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
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/ 5,875

FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.