FET, MOSFET 어레이

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
2,249
재고 있음
1 : ₩324.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩63.32567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
300mA
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6nC(4.5V)
40pF @ 10V
285mW
150°C
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
43,777
재고 있음
1 : ₩432.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩87.76300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA(Ta)
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6nC(4.5V)
50pF @ 10V
295mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
14,485
재고 있음
1 : ₩448.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩92.96767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
320mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.4V @ 250µA
0.8nC(4.5V)
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q100
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2,180
재고 있음
1 : ₩448.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩91.67033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
180mA
4.5옴 @ 100mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.44nC(4.5V)
13pF @ 10V
375mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
6,614
재고 있음
1 : ₩463.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩97.84800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
-
2 N-Chan(이중)
-
60V
320mA(Ta)
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.5nC(4.5V)
34pF @ 10V
420mW
-55°C ~ 150°C(TA)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1,100
재고 있음
1 : ₩479.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩100.14400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 P 채널(이중)
논리 레벨 게이트
50V
160mA
7.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.35nC(5V)
36pF @ 25V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
58,714
재고 있음
1 : ₩494.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩97.40525
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
800mA(Ta)
235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1nC(10V)
55pF @ 10V, 100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
229,185
재고 있음
1 : ₩510.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.23167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
250mA(Ta)
2.2옴 @ 100mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
60,667
재고 있음
1 : ₩525.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩108.73100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6nC(10V)
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1,821
재고 있음
1 : ₩525.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩109.20467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 P 채널(이중)
논리 레벨 게이트
30V
200mA
4.1옴 @ 200mA, 4.5V
1.1V @ 250µA
0.75nC(4.5V)
46pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Diodes Incorporated
918,834
재고 있음
2,316,000
공장
1 : ₩541.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩115.64467
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
1.34A, 1.14A
400m옴 @ 600mA, 4.5V
1V @ 250µA
0.74nC(4.5V)
60.67pF @ 16V
1.12W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6
SOT-26
SOT 563
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
5,752
재고 있음
1 : ₩541.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩93.26940
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
20V
1.03A, 700mA
480m옴 @ 200mA, 5V
900mV @ 250µA
0.5nC(4.5V)
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
PMBT2222AYS-QX
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
3,805
재고 있음
1 : ₩541.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.90333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
350mA, 200mA
1.4옴 @ 350mA, 4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC(4.5V)
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 563
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
3,500
재고 있음
1 : ₩541.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩110.98067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
1.03A, 700mA
480m옴 @ 200mA, 5V
900mV @ 250µA
0.5nC(4.5V)
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
11,576
재고 있음
1 : ₩587.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.28433
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
1.07A, 845mA
450m옴 @ 600mA, 4.5V
1V @ 250µA
0.74nC(4.5V)
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
232,857
재고 있음
1 : ₩602.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩130.48633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
350mA
1.4옴 @ 350mA, 4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC(4.5V)
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
591,987
재고 있음
1 : ₩618.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩134.29067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
BSD223PH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Infineon Technologies
102,227
재고 있음
1 : ₩618.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩133.13767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 P 채널(이중)
논리 레벨 게이트
20V
390mA
1.2옴 @ 390mA, 4.5V
1.2V @ 1.5µA
0.62nC(4.5V)
56pF @ 15V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-6-1
EMT6
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
171,080
재고 있음
1 : ₩633.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩118.94975
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
EMT6
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
162,179
재고 있음
1 : ₩633.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩136.66900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
29,907
재고 있음
1 : ₩633.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩136.66900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
295mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.9nC(4.5V)
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
27,165
재고 있음
1 : ₩633.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩133.95100
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
3.4A, 2.8A
60m옴 @ 3.1A, 10V
2.3V @ 250µA
13nC(10V)
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
PEMD4-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Nexperia USA Inc.
233,818
재고 있음
1 : ₩649.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩132.84925
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
200mA
4.5옴 @ 100mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.44nC(4.5V)
13pF @ 10V
375mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-363
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
88,069
재고 있음
1 : ₩649.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩138.56867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
8V
1.3A
175m옴 @ 1.2A, 4.5V
1V @ 250µA
-
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
20,166
재고 있음
1 : ₩649.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩135.55700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
3.8A, 2.5A
55m옴 @ 3.4A, 10V
1.5V @ 250µA
12.3nC(10V)
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
보기
/ 6,199

FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.