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제조업체 부품 번호
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계열
포장
Product Status
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
99,417
재고 있음
1 : ₩2,306.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,158.66680
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성GaNFET(질화 갈륨)2 N 채널(하프브리지)-100V1.7A70m옴 @ 2A, 5V2.5V @ 600µA0,73nC(5V)75pF @ 50V--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
2,192
재고 있음
1 : ₩11,661.00000
컷 테이프(CT)
500 : ₩8,314.52000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성GaNFET(질화 갈륨)2 N 채널(하프브리지)-100V23A6.3m옴 @ 20A, 5V2.5V @ 5.5mA7nC(5V)800pF @ 50V--40°C ~ 150°C(TJ)표면 실장다이다이
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
75
재고 있음
1 : ₩1,136,197.00000
트레이
-
트레이
활성실리콘 카바이드(SiC)2 N 채널(하프브리지)-1200V(1.2kV)300A(Tc)-4V @ 68mA-35000pF @ 10V1875W-40°C ~ 150°C(TJ)섀시 실장모듈모듈
620,785
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩63.45067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)-60V300mA1.5옴 @ 100mA, 10V2.1V @ 250µA0.6nC(4.5V)40pF @ 10V285mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-563
SSM6L56FE,LM
SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
Toshiba Semiconductor and Storage
11,141
재고 있음
1 : ₩493.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩101.55325
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트, 1.5V 구동20V800mA(Ta)235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V1V @ 1mA1nC(10V)55pF @ 10V, 100pF @ 10V150mW(Ta)150°C표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
58,591
재고 있음
1 : ₩520.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.70733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트, 1.5V 구동20V250mA(Ta)2.2옴 @ 100mA, 4.5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1,294,382
재고 있음
1 : ₩560.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.33400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V1.34A, 1.14A400m옴 @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC(4.5V)60.67pF @ 16V1.12W-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-23-6SOT-26
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
33,986
재고 있음
1 : ₩573.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩117.83033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V320mA1.6옴 @ 300mA, 10V1.5V @ 250µA0.8nC(4.5V)50pF @ 10V420mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
181,100
재고 있음
1 : ₩640.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.85167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V300mA1.6옴 @ 500mA, 10V2.1V @ 250µA0.6nC(4.5V)50pF @ 10V295mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
53,881
재고 있음
1 : ₩600.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩122.61025
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V500mA, 330mA630m옴 @ 200mA, 5V1V @ 1mA1.23nC(4V)46pF @ 10V150mW150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
311,019
재고 있음
1 : ₩640.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩130.27333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V320mA1.6옴 @ 320mA, 10V1.6V @ 250µA0.7nC(4.5V)56pF @ 10V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
46,153
재고 있음
1 : ₩520.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩119.85150
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트, 0.9V 구동50V200mA2.2옴 @ 200mA, 4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66,272
재고 있음
1 : ₩666.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩134.87133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트30V350mA1.4옴 @ 350mA, 4.5V1.1V @ 250µA0.68nC(4.5V)50pF @ 15V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
344,044
재고 있음
1 : ₩520.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩126.90167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트, 0.9V 구동50V200mA2.2옴 @ 200mA, 4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
2,184
재고 있음
1 : ₩720.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩134.33833
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트60V300mA3옴 @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA0.6nC(10V)20pF @ 25V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
128,056
재고 있음
1 : ₩586.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩142.07700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트20V870mA340m옴 @ 200mA, 4.5V1V @ 250µA0.89nC(4.5V)45pF @ 20V400mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
81,345
재고 있음
1 : ₩586.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩142.10333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트20V860mA350m옴 @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250µA0.72nC(4.5V)34pF @ 20V410mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
81,134
재고 있음
1,324,000
Factory
1 : ₩600.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩129.17725
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V540mA, 430mA550m옴 @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA2.5nC(4.5V)150pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
onsemi
39,705
재고 있음
1 : ₩640.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩137.56767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트20V630mA375m옴 @ 630mA, 4.5V1.5V @ 250µA3nC(4.5V)46pF @ 20V270mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
355,935
재고 있음
1 : ₩506.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩159.31880
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 P 채널(이중)논리 레벨 게이트30V3.9A70m옴 @ 5.3A, 10V3V @ 250µA11nC(10V)563pF @ 25V1.1W-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)8-SO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
173,354
재고 있음
1 : ₩653.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩159.45325
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)논리 레벨 게이트20V800mA380m옴 @ 500mA, 4.5V950mV @ 250µA0.68nC(4.5V)83pF @ 10V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-563
DMG1016V-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
99,779
재고 있음
1 : ₩653.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩159.45567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V870mA, 640mA400m옴 @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC(4.5V)60.67pF @ 16V530mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
onsemi
306,804
재고 있음
1 : ₩520.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩142.18800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 N-Chan(이중)-30V250mA1.5옴 @ 10mA, 4V1.5V @ 100µA1.3nC(5V)33pF @ 5V272mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
30,860
재고 있음
1 : ₩680.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩146.21275
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)2 P 채널(이중)-20V430mA900m옴 @ 430mA, 4.5V1V @ 250µA2.5nC(4.5V)175pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
84,132
재고 있음
1 : ₩573.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩155.70500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성MOSFET(금속 산화물)N 및 P 채널논리 레벨 게이트20V540mA, 430mA550m옴 @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA2.5nC(4.5V)150pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)표면 실장SOT-563, SOT-666SOT-563
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FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.