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FET, MOSFET 어레이
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드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
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1 - 25
비교 | 제조업체 부품 번호 | 주문 가능 수량 | 가격 | 계열 | 포장 | Product Status | 기술 | 구성 | FET 특징 | 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th)(최대) @ Id | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 전력 - 최대 | 작동 온도 | 실장 유형 | 패키지/케이스 | 공급 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
99,417 재고 있음 | 1 : ₩2,306.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,158.66680 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | GaNFET(질화 갈륨) | 2 N 채널(하프브리지) | - | 100V | 1.7A | 70m옴 @ 2A, 5V | 2.5V @ 600µA | 0,73nC(5V) | 75pF @ 50V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 다이 | 다이 | |||
2,192 재고 있음 | 1 : ₩11,661.00000 컷 테이프(CT) 500 : ₩8,314.52000 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | GaNFET(질화 갈륨) | 2 N 채널(하프브리지) | - | 100V | 23A | 6.3m옴 @ 20A, 5V | 2.5V @ 5.5mA | 7nC(5V) | 800pF @ 50V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 다이 | 다이 | |||
75 재고 있음 | 1 : ₩1,136,197.00000 트레이 | - | 트레이 | 활성 | 실리콘 카바이드(SiC) | 2 N 채널(하프브리지) | - | 1200V(1.2kV) | 300A(Tc) | - | 4V @ 68mA | - | 35000pF @ 10V | 1875W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 섀시 실장 | 모듈 | 모듈 | ||
620,785 재고 있음 | 1 : ₩333.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩63.45067 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | - | 60V | 300mA | 1.5옴 @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.6nC(4.5V) | 40pF @ 10V | 285mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | ||
11,141 재고 있음 | 1 : ₩493.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩101.55325 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | 20V | 800mA(Ta) | 235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 1nC(10V) | 55pF @ 10V, 100pF @ 10V | 150mW(Ta) | 150°C | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | ES6 | ||
58,591 재고 있음 | 1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩104.70733 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | 20V | 250mA(Ta) | 2.2옴 @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | - | 12pF @ 10V | 300mW | 150°C | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | ||
1,294,382 재고 있음 | 1 : ₩560.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩114.33400 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트 | 20V | 1.34A, 1.14A | 400m옴 @ 600mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.74nC(4.5V) | 60.67pF @ 16V | 1.12W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 | SOT-26 | ||
33,986 재고 있음 | 1 : ₩573.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.83033 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 60V | 320mA | 1.6옴 @ 300mA, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.8nC(4.5V) | 50pF @ 10V | 420mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
181,100 재고 있음 | 1 : ₩640.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩119.85167 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 60V | 300mA | 1.6옴 @ 500mA, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.6nC(4.5V) | 50pF @ 10V | 295mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
53,881 재고 있음 | 1 : ₩600.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩122.61025 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트 | 20V | 500mA, 330mA | 630m옴 @ 200mA, 5V | 1V @ 1mA | 1.23nC(4V) | 46pF @ 10V | 150mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | ES6 | ||
311,019 재고 있음 | 1 : ₩640.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩130.27333 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 60V | 320mA | 1.6옴 @ 320mA, 10V | 1.6V @ 250µA | 0.7nC(4.5V) | 56pF @ 10V | 445mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
46,153 재고 있음 | 1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩119.85150 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트, 0.9V 구동 | 50V | 200mA | 2.2옴 @ 200mA, 4.5V | 800mV @ 1mA | - | 26pF @ 10V | 120mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | EMT6 | ||
66,272 재고 있음 | 1 : ₩666.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩134.87133 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 30V | 350mA | 1.4옴 @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.68nC(4.5V) | 50pF @ 15V | 445mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
344,044 재고 있음 | 1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩126.90167 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트, 0.9V 구동 | 50V | 200mA | 2.2옴 @ 200mA, 4.5V | 800mV @ 1mA | - | 26pF @ 10V | 120mW | 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMT6 | ||
2,184 재고 있음 | 1 : ₩720.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩134.33833 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 60V | 300mA | 3옴 @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6nC(10V) | 20pF @ 25V | 500mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | PG-SOT363-PO | |||
128,056 재고 있음 | 1 : ₩586.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩142.07700 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 기존 설계 전용 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 20V | 870mA | 340m옴 @ 200mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.89nC(4.5V) | 45pF @ 20V | 400mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
81,345 재고 있음 | 1 : ₩586.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩142.10333 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 기존 설계 전용 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 20V | 860mA | 350m옴 @ 200mA, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.72nC(4.5V) | 34pF @ 20V | 410mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP | |||
81,134 재고 있음 1,324,000 Factory | 1 : ₩600.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩129.17725 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트 | 20V | 540mA, 430mA | 550m옴 @ 540mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 2.5nC(4.5V) | 150pF @ 16V | 250mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | ||
39,705 재고 있음 | 1 : ₩640.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩137.56767 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 20V | 630mA | 375m옴 @ 630mA, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 3nC(4.5V) | 46pF @ 20V | 270mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ||
355,935 재고 있음 | 1 : ₩506.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩159.31880 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 P 채널(이중) | 논리 레벨 게이트 | 30V | 3.9A | 70m옴 @ 5.3A, 10V | 3V @ 250µA | 11nC(10V) | 563pF @ 25V | 1.1W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 8-SO | ||
173,354 재고 있음 | 1 : ₩653.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩159.45325 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 기존 설계 전용 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | 논리 레벨 게이트 | 20V | 800mA | 380m옴 @ 500mA, 4.5V | 950mV @ 250µA | 0.68nC(4.5V) | 83pF @ 10V | 500mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SOT-666 | |||
99,779 재고 있음 | 1 : ₩653.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩159.45567 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트 | 20V | 870mA, 640mA | 400m옴 @ 600mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.74nC(4.5V) | 60.67pF @ 16V | 530mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | ||
306,804 재고 있음 | 1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩142.18800 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 N-Chan(이중) | - | 30V | 250mA | 1.5옴 @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100µA | 1.3nC(5V) | 33pF @ 5V | 272mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ||
30,860 재고 있음 | 1 : ₩680.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩146.21275 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | 2 P 채널(이중) | - | 20V | 430mA | 900m옴 @ 430mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 2.5nC(4.5V) | 175pF @ 16V | 250mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | ||
84,132 재고 있음 | 1 : ₩573.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩155.70500 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | MOSFET(금속 산화물) | N 및 P 채널 | 논리 레벨 게이트 | 20V | 540mA, 430mA | 550m옴 @ 540mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 2.5nC(4.5V) | 150pF @ 16V | 250mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 |
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FET, MOSFET 어레이
전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
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