단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호
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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
TL431BFDT-QR
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,069
재고 있음
1 : ₩214.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩41.98100
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
190mA(Ta)
5V, 10V
4.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta), 1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
497,325
재고 있음
1 : ₩229.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩44.00400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
200mA(Ta)
4.5V, 10V
3.9옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1,148,691
재고 있음
1 : ₩245.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩47.32667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
400mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
39,076
재고 있음
1 : ₩260.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩50.58300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
310mA(Ta)
5V, 10V
3옴 @ 115mA, 10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
93,322
재고 있음
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1 : ₩275.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩54.36400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Ta)
5V, 10V
7.5옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1.08W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
194,325
재고 있음
1 : ₩290.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩57.88033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
360mA(Ta)
2.5V, 10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
MMBT2222AWT1G
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
92,797
재고 있음
1 : ₩306.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.13533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
310mA(Ta)
4.5V, 10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-3(SOT323)
SC-70, SOT-323
1,447
재고 있음
1 : ₩306.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩60.05133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SSM
SC-75, SOT-416
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
210,540
재고 있음
1 : ₩321.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩59.84233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
320mA(Ta)
4.5V, 10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002A-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
66,421
재고 있음
1 : ₩321.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩64.94333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
180mA(Ta)
5V, 10V
6옴 @ 115mA, 5V
2V @ 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
12,345
재고 있음
1 : ₩321.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩60.69333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5옴 @ 220mA, 10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
915,484
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩66.15133
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
200mA(Ta)
1.2V, 2.5V
1.2옴 @ 100mA, 2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
BCV27
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
197,941
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩63.50633
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
25 V
220mA(Ta)
2.7V, 4.5V
4옴 @ 400mA, 4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
84,686
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩67.53233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Ta)
5V, 10V
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
64,629
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩63.78667
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
260mA(Ta)
4.5V, 10V
2.5옴 @ 240mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
55,570
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩56.48725
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
250mA(Ta)
1.2V, 4.5V
1.1옴 @ 150mA, 4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VESM
SOT-723
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
3,343
재고 있음
1 : ₩336.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩68.84700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
350mA(Ta)
2.5V, 10V
2.8옴 @ 250mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA124EUBHZGTL
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
1,487,070
재고 있음
1 : ₩352.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩72.11333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
200mA(Ta)
0.9V, 4.5V
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
127,425
재고 있음
1 : ₩352.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩65.73333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
130mA(Ta)
5V
10옴 @ 100mA, 5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3,498
재고 있음
1 : ₩352.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩57.14350
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
400mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
99,036
재고 있음
1 : ₩367.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩69.86600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Ta)
5V, 10V
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
84,582
재고 있음
1 : ₩367.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩75.04867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
170mA(Ta)
10V
6옴 @ 170mA, 10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
34,486
재고 있음
1 : ₩367.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩70.68167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Tc)
5V, 10V
7.5옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
8,160
재고 있음
1 : ₩367.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩73.29067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75
NTA4001NT1G
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
onsemi
42,642
재고 있음
1 : ₩397.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩74.47300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
238mA(Tj)
2.5V, 4.5V
3옴 @ 10mA, 4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
보기
/ 45,043

단일 FET, MOSFET

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.
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