XP83T03GJB YAGEO XSEMI | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 YAGEO XSEMI	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
계열 XP83T03	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1840 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 60W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 TO-251S
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Tc)	패키지/케이스 TO-251-3 짧은 리드, IPAK, TO-251AA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 XP83
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6m옴 @ 40A, 10V

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XP83T03GJB