N채널 650 V 20A(Tc) 1.92W(Ta), 34.7W(Tc) 스루홀 TO-220CFM
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N채널 650 V 20A(Tc) 1.92W(Ta), 34.7W(Tc) 스루홀 TO-220CFM
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP65SL190DI

DigiKey 제품 번호
5048-XP65SL190DI-ND
제조업체
YAGEO XSEMI
제조업체 제품 번호
XP65SL190DI
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
제조업체 표준 리드 타임
16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 20A(Tc) 1.92W(Ta), 34.7W(Tc) 스루홀 TO-220CFM
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
YAGEO XSEMI
계열
XP65SL190D
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
190m옴 @ 6.2A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
92.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3312 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
1.92W(Ta), 34.7W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220CFM
패키지/케이스
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩5,152.00000₩5,152
50₩2,588.86000₩129,443
100₩2,339.52000₩233,952
500₩2,025.11000₩1,012,555
제조업체 표준 포장
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