Name: XP3N1R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N1R8AMTTR-ND
Price: 431.835 KRW
Availability: OutOfStock

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XP3N1R8AMT
DigiKey 제품 번호	5048-XP3N1R8AMTTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	YAGEO XSEMI
제조업체 제품 번호	XP3N1R8AMT
제품 요약	FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 41.9A(Ta), 100A(Tc) 5W(Ta), 83.3W(Tc) 표면 실장 8-PMPAK(5x6)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 YAGEO XSEMI	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 208 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 8960 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 5W(Ta), 83.3W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 41.9A(Ta), 100A(Tc)	공급 장치 패키지 8-PMPAK(5x6)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerLDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.8m옴 @ 20A, 10V