신제품
ECB2R1M12YM3
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ECB2R8M12YM3

DigiKey 제품 번호
1697-ECB2R8M12YM3-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
ECB2R8M12YM3
제품 요약
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
제조업체 표준 리드 타임
22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 섀시 실장
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Wolfspeed, Inc.
계열
-
포장
박스
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
6 N-채널(3상 인버터)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
545A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
3.7m옴 @ 450A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.6V @ 125mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1272nC @ 15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
38500pF @ 800V
전력 - 최대
1.485kW (Tj)
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
-
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재고: 1
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박스
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제조업체 표준 포장