C3M0120065J Wolfspeed, Inc. | 이산 반도체 제품

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Wolfspeed, Inc.
계열	C3M™
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	21A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	157m옴 @ 6.76A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.6V @ 1.86mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	26 nC @ 15 V
Vgs(최대)	+19V, -8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	640 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	86W(Tc)
작동 온도	-40°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263-7
패키지/케이스	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA

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