N채널 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 표면 실장 D2PAK-7
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N채널 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 표면 실장 D2PAK-7
C2M1000170J

C3M0065100J

DigiKey 제품 번호
C3M0065100J-ND
제조업체
Wolfspeed, Inc.
제조업체 제품 번호
C3M0065100J
제품 요약
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 표면 실장 D2PAK-7
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
C3M0065100J 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Wolfspeed, Inc.
계열
C3M™
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
78m옴 @ 20A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 15 V
Vgs(최대)
+15V, -4V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
660 pF @ 600 V
FET 특징
-
내전력(최대)
113.5W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
D2PAK-7
패키지/케이스
TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
기준 제품 번호
C3M0065100
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튜브
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