TO263-7
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C3M0040120J1

DigiKey 제품 번호
1697-C3M0040120J1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
C3M0040120J1
제품 요약
1200V 40 M SIC MOSFET
제조업체 표준 리드 타임
22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 64A(Tc) 272W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
53.5m옴 @ 33.3A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.6V @ 9.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
94 nC @ 15 V
Vgs(최대)
+15V, -4V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2900 pF @ 1000 V
FET 특징
-
내전력(최대)
272W(Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263-7
패키지/케이스
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재고: 201
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튜브
수량 단가 총액
1₩25,404.00000₩25,404
50₩14,805.90000₩740,295
100₩13,787.35000₩1,378,735
500₩12,891.88000₩6,445,940
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.