Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 7993 KRW
Availability: OutOfStock

SQM120N10-3M8_GE3은(는) 품절되어 재고가 없으며 백오더가 가능합니다.

사용 가능한 대체품:

직접

Nexperia USA Inc.

재고 있음: 1,550

단가 : ₩8,258.00000

유사

Infineon Technologies

재고 있음: 8

단가 : ₩6,088.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SQM120N10-3M8_GE3
DigiKey 제품 번호	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SQM120N10-3M8_GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
제조업체 표준 리드 타임	22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 120A(Tc) 375W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SQM120N10-3M8_GE3 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 190 nC @ 10 V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(최대) ±20V
계열 TrenchFET®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7230 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 375W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.8m옴 @ 20A, 10V	기준 제품 번호 SQM120
Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 250µA

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BUK765R0-100E,118	Nexperia USA Inc.	1,550	1727-7135-1-ND	₩8,258.00000	직접
IPB049N08N5ATMA1	Infineon Technologies	8	448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND	₩6,088.00000	유사