Name: SQJQ181EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND
Price: 6543 KRW
Availability: OutOfStock

신제품

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SQJQ181EL-T1_GE3
DigiKey 제품 번호	742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SQJQ181EL-T1_GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SQJQ181EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SQJQ181EL-T1_GE3
제품 요약	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	37주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 80 V 175A(Tc) 348W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 8 x 8
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 230 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 14481 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 348W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 175A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	공급 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8
Rds On(최대) @ Id, Vgs 5.5m옴 @ 10A, 10V	패키지/케이스 PowerPAK® 8 x 8