Name: SQJA37EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJA37EP-T1_BE3TR-ND
Price: 2140 KRW
Availability: InStock

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SQJA37EP-T1_BE3
DigiKey 제품 번호	742-SQJA37EP-T1_BE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SQJA37EP-T1_BE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SQJA37EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SQJA37EP-T1_BE3
제품 요약	P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 30 V 30A(Tc) 45W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SQJA37EP-T1_BE3 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 100 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4900 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 45W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9.2m옴 @ 6A, 10V	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8

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제조업체 표준 포장

SQJA37EP-T1_BE3