
SQJ968EP-T1_GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SQJ968EP-T1_GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8 |
제조업체 표준 리드 타임 | 27주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 60V 23.5A(Tc) 42W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 이중 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SQJ968EP-T1_GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33.6m옴 @ 4.8A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 18.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 714pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 42W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TA) | |
등급 | 자동차 | |
인증 | AEC-Q101 | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩2,426.00000 | ₩2,426 |
| 10 | ₩1,537.40000 | ₩15,374 |
| 100 | ₩1,027.33000 | ₩102,733 |
| 500 | ₩808.44200 | ₩404,221 |
| 1,000 | ₩738.04800 | ₩738,048 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩648.64933 | ₩1,945,948 |
| 6,000 | ₩603.65750 | ₩3,621,945 |
| 9,000 | ₩589.34300 | ₩5,304,087 |




