Name: SQJ200EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ200EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2859 KRW
Availability: InStock

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SQJ200EP-T1_GE3
DigiKey 제품 번호	SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SQJ200EP-T1_GE3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 20V 20A, 60A 27W, 48W 표면 실장 PowerPAK® SO-8 이중 비대칭
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SQJ200EP-T1_GE3 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	20A, 60A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	8.8m옴 @ 16A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	975pF @ 10V
전력 - 최대	27W, 48W
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	PowerPAK® SO-8 이중
공급 장치 패키지	PowerPAK® SO-8 이중 비대칭
기준 제품 번호	SQJ200