Name: SQD19P06-60L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD19P06-60L_T4GE3TR-ND
Price: 3653 KRW
Availability: InStock

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SQD19P06-60L_T4GE3
DigiKey 제품 번호	SQD19P06-60L_T4GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SQD19P06-60L_T4GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SQD19P06-60L_T4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SQD19P06-60L_T4GE3
제품 요약	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 60 V 20A(Tc) 46W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 41 nC @ 10 V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(최대) ±20V
계열 TrenchFET®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1490 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 46W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 P채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 20A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-252AA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
Rds On(최대) @ Id, Vgs 55m옴 @ 19A, 10V	기준 제품 번호 SQD19
Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SQD19P06-60L_GE3	Vishay Siliconix	102	SQD19P06-60L_GE3CT-ND	₩3,575.00000	등가 파라미터
IRFR5305TRPBF	Infineon Technologies	64,264	IRFR5305PBFCT-ND	₩3,013.00000	유사
TSM680P06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	7,840	TSM680P06CPROGCT-ND	₩1,904.00000	유사