Name: SIZ918DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
Price: 4005 KRW
Availability: InStock

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SIZ918DT-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIZ918DT-T1-GE3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 30V 16A, 28A 29W, 100W 표면 실장 8-PowerPair®(6x5)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIZ918DT-T1-GE3 모델

제품 특성

유사 제품 검색

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 12m옴 @ 13.8A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 2.2V @ 250µA
계열 TrenchFET®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 21nC(10V)
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 790pF @ 15V
부품 현황 활성	전력 - 최대 29W, 100W
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
구성 2 N 채널(하프브리지)	실장 유형 표면 실장
FET 특징 논리 레벨 게이트	패키지/케이스 8-PowerWDFN
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V	공급 장치 패키지 8-PowerPair®(6x5)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 16A, 28A	기준 제품 번호 SIZ918