Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 3700 KRW
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SISF20DN-T1-GE3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 60V 14A(Ta), 52A(Tc) 5.2W(Ta), 69.4W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 33nC(10V)
계열 TrenchFET® Gen IV	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1290pF @ 30V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	전력 - 최대 5.2W(Ta), 69.4W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
구성 2 N-Chan(이중)	패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V	공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 14A(Ta), 52A(Tc)	기준 제품 번호 SISF20
Rds On(최대) @ Id, Vgs 13m옴 @ 7A, 10V