
SISF00DN-T1-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SISF00DN-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
제조업체 표준 리드 타임 | 22주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 30V 60A(Tc) 69.4W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SISF00DN-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 10A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 2700pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69.4W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
기준 제품 번호 |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩2,968.00000 | ₩2,968 |
10 | ₩1,892.70000 | ₩18,927 |
100 | ₩1,279.22000 | ₩127,922 |
500 | ₩1,016.35000 | ₩508,175 |
1,000 | ₩956.23100 | ₩956,231 |
수량 | 단가 | 총액 |
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3,000 | ₩824.48400 | ₩2,473,452 |
6,000 | ₩781.23350 | ₩4,687,401 |