Name: SISA10DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA10DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2584 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SISA10DN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SISA10DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SISA10DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SISA10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SISA10DN-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 30A(Tc) 3.6W(Ta), 39W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SISA10DN-T1-GE3 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.2V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 51 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) +20V, -16V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2425 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.6W(Ta), 39W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SISA10
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.7m옴 @ 10A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RQ1E070RPTR	Rohm Semiconductor	2,460	RQ1E070RPCT-ND	₩2,935.00000	유사
RQ1E075XNTCR	Rohm Semiconductor	26,746	RQ1E075XNTCRCT-ND	₩2,018.00000	유사
RQ3E180AJTB	Rohm Semiconductor	9,683	RQ3E180AJTBCT-ND	₩2,767.00000	유사
RQ3E180BNTB	Rohm Semiconductor	4,948	RQ3E180BNTBCT-ND	₩1,773.00000	유사