
SIS903DN-T1-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIS903DN-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
제조업체 표준 리드 타임 | 27주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta), 23W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 이중 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIS903DN-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 P 채널(이중) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20.1m옴 @ 5A, 4.5V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 2565pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.6W(Ta), 23W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩2,247.00000 | ₩2,247 |
| 10 | ₩1,415.30000 | ₩14,153 |
| 100 | ₩941.76000 | ₩94,176 |
| 500 | ₩738.55400 | ₩369,277 |
| 1,000 | ₩673.14600 | ₩673,146 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩590.10200 | ₩1,770,306 |
| 6,000 | ₩548.30483 | ₩3,289,829 |
| 9,000 | ₩527.39589 | ₩4,746,563 |









