Name: SIS412DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS412DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1592 KRW
Availability: InStock

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SIS412DN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIS412DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIS412DN-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
제조업체 표준 리드 타임	17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 12A(Tc) 3.2W(Ta), 15.6W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIS412DN-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 12 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 435 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.2W(Ta), 15.6W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SIS412
Rds On(최대) @ Id, Vgs 24m옴 @ 7.8A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(9)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	1,660	DMN3027LFG-7DICT-ND	₩1,936.00000	유사
PJQ4414P_R2_00001	Panjit International Inc.	3,271	3757-PJQ4414P_R2_00001CT-ND	₩952.00000	유사
RQ1E070RPTR	Rohm Semiconductor	2,460	RQ1E070RPCT-ND	₩2,997.00000	유사
RQ1E075XNTCR	Rohm Semiconductor	26,746	RQ1E075XNTCRCT-ND	₩2,061.00000	유사
RQ3E075ATTB	Rohm Semiconductor	91	RQ3E075ATTBCT-ND	₩2,950.00000	유사

재고: 47,062

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컷 테이프(CT) & Digi-Reel®

* 모든 Digi-Reel 주문에는 ₩8,000 릴링 요금이 추가됩니다.

테이프 및 릴(TR)