Name: SIRA06DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA06DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3106 KRW
Availability: InStock

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SIRA06DP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIRA06DP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIRA06DP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIRA06DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIRA06DP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 40A(Tc) 5W(Ta), 62.5W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIRA06DP-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.2V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 77 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) +20V, -16V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3595 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 5W(Ta), 62.5W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 40A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SIRA06
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.5m옴 @ 15A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(6)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RS1E260ATTB1	Rohm Semiconductor	6,904	RS1E260ATTB1CT-ND	₩6,588.00000	유사
RS1E280BNTB	Rohm Semiconductor	49,649	RS1E280BNTBCT-ND	₩2,217.00000	유사
RS1E281BNTB1	Rohm Semiconductor	909	RS1E281BNTB1CT-ND	₩4,449.00000	유사
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2,446	RS3E095BNGZETBCT-ND	₩2,310.00000	유사
RXH070N03TB1	Rohm Semiconductor	2,544	RXH070N03TB1CT-ND	₩2,373.00000	유사