Name: SIR570DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR570DP-T1-RE3TR-ND
Price: 6681 KRW
Availability: InStock

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SIR570DP-T1-RE3
DigiKey 제품 번호	742-SIR570DP-T1-RE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SIR570DP-T1-RE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SIR570DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIR570DP-T1-RE3
제품 요약	N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
제조업체 표준 리드 타임	42주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 150 V 19A(Ta), 77.4A(Tc) 6.25W(Ta), 104W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 7.9m옴 @ 20A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
계열 TrenchFET® Gen V	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 71 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3740 pF @ 75 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 6.25W(Ta), 104W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 150 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 19A(Ta), 77.4A(Tc)	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 7.5V, 10V	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8