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SIHP22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHP22N65E-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHP22N65E-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB |
제조업체 표준 리드 타임 | 22주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 스루홀 TO-220AB |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIHP22N65E-GE3 모델 |
제품 특성
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빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 110 nC @ 10 V |
포장 튜브 | Vgs(최대) ±30V |
부품 현황 활성 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2415 pF @ 100 V |
FET 유형 | 내전력(최대) 227W(Tc) |
기술 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V | 실장 유형 스루홀 |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 공급 장치 패키지 TO-220AB |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 패키지/케이스 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 180m옴 @ 11A, 10V | 기준 제품 번호 |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(12)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1,429 | FCP190N60EOS-ND | ₩7,930.00000 | 유사 |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | ₩8,711.00000 | 유사 |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56,890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | ₩3,212.14286 | 유사 |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | ₩5,461.87000 | 유사 |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | ₩7,621.88333 | 유사 |
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1,000 | ₩3,239.15800 | ₩3,239,158 |
