Name: SIHG47N60E-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG47N60E-E3-ND
Price: 17092 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 220 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 기존 설계 전용	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 9620 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 357W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 47A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247AC
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 64m옴 @ 24A, 10V	기준 제품 번호 SIHG47

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환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(17)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SIHG47N60E-GE3	Vishay Siliconix	61	SIHG47N60E-GE3-ND	₩17,092.00000	직접
APT47N60BC3G	Microchip Technology	1	APT47N60BC3G-ND	₩20,639.00000	유사
APT53N60BC6	Microchip Technology	0	APT53N60BC6-ND	₩12,784.04286	유사
FCH070N60E	onsemi	487	FCH070N60EOS-ND	₩13,836.00000	유사
FCH072N60	onsemi	257	FCH072N60-ND	₩16,175.00000	유사