Name: SIHG40N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG40N60E-GE3-ND
Price: 13132 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 197 nC @ 10 V
계열 E	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4436 pF @ 100 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 329W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-247AC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 40A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 SIHG40
Rds On(최대) @ Id, Vgs 75m옴 @ 20A, 10V