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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SIHD180N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHD180N60E-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHD180N60E-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
제조업체 표준 리드 타임 | 15주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 19A(Tc) 156W(Tc) 표면 실장 DPAK |
규격서 | 규격서 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 32 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±30V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1080 pF @ 100 V |
부품 현황 활성 | 내전력(최대) 156W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 표면 실장 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V | 공급 장치 패키지 DPAK |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 195m옴 @ 9.5A, 10V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(1)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4,975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | ₩6,085.00000 | 유사 |
재고: 2,271
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩6,314.00000 | ₩6,314 |
| 10 | ₩4,135.40000 | ₩41,354 |
| 100 | ₩2,900.44000 | ₩290,044 |
| 500 | ₩2,373.18600 | ₩1,186,593 |
| 1,000 | ₩2,203.81100 | ₩2,203,811 |
| 3,000 | ₩1,988.98400 | ₩5,966,952 |
| 6,000 | ₩1,970.24100 | ₩11,821,446 |
