Name: SIHB28N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB28N60EF-GE3-ND
Price: 11191 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 120 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2714 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 250W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 28A(Tc)	공급 장치 패키지 D2PAK
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 123m옴 @ 14A, 10V	기준 제품 번호 SIHB28

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

재고: 1,081

추가 입고 예정인 재고 확인

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

튜브

제조업체 표준 포장

참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

SIHB28N60EF-GE3