Name: SIHB20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB20N50E-GE3-ND
Price: 6971 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 92 nC @ 10 V
포장 벌크	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1640 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 179W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 500 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 19A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 184m옴 @ 10A, 10V	기준 제품 번호 SIHB20

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SIHB20N50E-GE3