Name: SIHB065N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB065N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 4095.31125 KRW
Availability: OutOfStock

SIHB065N60E-T1-GE3은(는) 구매 가능하지만 상시 재고로 확보되어 있지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

Vishay Siliconix

재고 있음: 0

단가 : ₩3,630.90000

DigiKey에 추가된 신제품

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 65m옴 @ 16A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA
계열 E	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 74 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2700 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 250W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 40A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB