Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 6620 KRW
Availability: InStock

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SIDR680DP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIDR680DP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 32.8A(Ta), 100A(Tc) 6.25W(Ta), 125W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8DC
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 105 nC @ 10 V
계열 TrenchFET® Gen IV	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 5150 pF @ 40 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 6.25W(Ta), 125W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 32.8A(Ta), 100A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 7.5V, 10V	기준 제품 번호 SIDR680
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.9m옴 @ 20A, 10V