SI9945BDY-T1-GE3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

제조업체 추천


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩2,156.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩392.28500
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 5,364
단가 : ₩1,835.00000
규격서

유사


Panjit International Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩318.08200
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 9,298
단가 : ₩1,330.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 4,288
단가 : ₩3,746.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 10,004
단가 : ₩3,547.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 22
단가 : ₩4,464.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 7,018
단가 : ₩4,479.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,366
단가 : ₩2,721.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 0
단가 : ₩3,791.00000
규격서
MOSFET - 어레이 60V 5.3A 3.1W 표면 실장 8-SOIC
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SI9945BDY-T1-GE3

DigiKey 제품 번호
SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT)
SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체
제조업체 제품 번호
SI9945BDY-T1-GE3
제품 요약
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 60V 5.3A 3.1W 표면 실장 8-SOIC
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
종류
Rds On(최대) @ Id, Vgs
58m옴 @ 4.3A, 10V
제조업체
Vishay Siliconix
Vgs(th)(최대) @ Id
3V @ 250µA
계열
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20nC(10V)
포장
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
665pF @ 15V
부품 현황
단종
전력 - 최대
3.1W
기술
MOSFET(금속 산화물)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
구성
2 N-Chan(이중)
실장 유형
표면 실장
FET 특징
논리 레벨 게이트
패키지/케이스
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60V
공급 장치 패키지
8-SOIC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.3A
기준 제품 번호
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(11)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
SI9634DY-T1-GE3Vishay Siliconix0742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND₩2,156.00000제조업체 추천
AO4828Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1062-2-ND₩392.28500유사
DMN6066SSD-13Diodes Incorporated5,364DMN6066SSD-13CT-ND₩1,835.00000유사
PJL9830A_R2_00001Panjit International Inc.03757-PJL9830A_R2_00001TR-ND₩318.08200유사
RF4E110GNTRRohm Semiconductor9,298RF4E110GNTRCT-ND₩1,330.00000유사
단종
이 제품은 더 이상 제조되지 않습니다. 대체품 제품을 확인하세요.